رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD2257(Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD2257(Q,M)-DG
وصف:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12891512
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD2257(Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
2000 @ 2A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SD2257
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SD2257QM
2SD2257(QM)
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC3074-O(Q)
TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
2SA1182-Y,LF
TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
2SC4883A
TRANSISTOR NPN TO220
