رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK14E65W5,S1X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK14E65W5,S1X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
15 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891028
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
wHfG
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK14E65W5,S1X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 690µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
TK14E65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK14E65W5S1X
TK14E65W5,S1X(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK14N65W5,S1F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
30
DiGi رقم الجزء
TK14N65W5,S1F-DG
سعر الوحدة
1.82
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCA8010-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
TK8A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
PHP23NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
