رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPN30008NH,LQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPN30008NH,LQ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 9.6A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
المخزون:
2775 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890494
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPN30008NH,LQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
920 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 27W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPN30008
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPN30008NHLQDKR
TPN30008NHLQ
TPN30008NHLQCT
TPN30008NH,LQ(S
TPN30008NHLQTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPH7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
SSM6H19NU,LF
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
TPH7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP