رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF610STRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF610STRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
677 قطع جديدة أصلية في المخزون
12862953
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF610STRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
140 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF610
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
742-IRF610STRLPBFCT
742-IRF610STRLPBFDKR
IRF610STRLPBF-DG
742-IRF610STRLPBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMV50EPEAR
MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
RS44CA09TQKA
MOSFET P-CH
UPD78F0847GKA-C01-GAK-G
MOSFET N-CH
