رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF9Z30
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF9Z30-DG
وصف:
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 50 V 18A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12864598
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
7m9T
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF9Z30 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF9
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRF9Z30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9Z34NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
78565
DiGi رقم الجزء
IRF9Z34NPBF-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IRF9Z30PBF-BE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
8860
DiGi رقم الجزء
IRF9Z30PBF-BE3-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRF9Z30PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1040
DiGi رقم الجزء
IRF9Z30PBF-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FJ4B01120L1
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
SK8403180L
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
VN0106N3-G
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
