رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFIB8N50KPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFIB8N50KPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 6.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12948138
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFIB8N50KPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2160 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
IRFIB8
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRFIB8N50KPBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP14NK50ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
831
DiGi رقم الجزء
STP14NK50ZFP-DG
سعر الوحدة
1.77
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STF14NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
STF14NM50N-DG
سعر الوحدة
1.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP12NM50FP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
921
DiGi رقم الجزء
STP12NM50FP-DG
سعر الوحدة
2.00
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTP011N15MC
MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220
FDBL9406-F085T6
MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF
NVH4L040N65S3F
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
