SI3481DV-T1-GE3

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SI3481DV-T1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SI3481DV-T1-GE3-DG

وصف:

MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP

وصف تفصيلي:

P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12917527

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

SI3481DV-T1-GE3 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Vishay

تعبئة

-

سلسلة

TrenchFET®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

4A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

48mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.14W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

6-TSOP

العبوة / العلبة

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

رقم المنتج الأساسي

SI3481

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

SI3481DV-T1-GE3

ورقة بيانات HTML

SI3481DV-T1-GE3-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء

NTGS4111PT1G

المُصنِّع

onsemi

الكمية المتاحة

36278

DiGi رقم الجزء

NTGS4111PT1G-DG

سعر الوحدة

0.15

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

FDC658P

المُصنِّع

onsemi

الكمية المتاحة

2211

DiGi رقم الجزء

FDC658P-DG

سعر الوحدة

0.17

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

DMP3056LDM-7

المُصنِّع

Diodes Incorporated

الكمية المتاحة

137612

DiGi رقم الجزء

DMP3056LDM-7-DG

سعر الوحدة

0.11

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

BSL307SPH6327XTSA1

المُصنِّع

Infineon Technologies

الكمية المتاحة

2450

DiGi رقم الجزء

BSL307SPH6327XTSA1-DG

سعر الوحدة

0.23

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

RRQ045P03TR

المُصنِّع

Rohm Semiconductor

الكمية المتاحة

785

DiGi رقم الجزء

RRQ045P03TR-DG

سعر الوحدة

0.30

نوع الاستبدال

MFR Recommended

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

SIHG64N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

nexperia

PMV164ENEAR

MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB

vishay-siliconix

SI4056DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO

nexperia

BUK6E2R3-40C,127

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK