رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4401DY-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4401DY-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 8.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12954358
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4401DY-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
SI4401
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI4401DDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4171
DiGi رقم الجزء
SI4401DDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CP775-CWDM3011P-CM
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
SI5418DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SD214DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
