رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHL620STRL-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHL620STRL-GE3-DG
وصف:
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
776 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977900
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHL620STRL-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
360 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
742-SIHL620STRL-GE3TR
742-SIHL620STRL-GE3DKR
742-SIHL620STRL-GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIHL620S-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
860
DiGi رقم الجزء
SIHL620S-GE3-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRL620STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
130
DiGi رقم الجزء
IRL620STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHB30N60ET5-GE3
N-CHANNEL 600V
IRFR220TRPBF-BE3
N-CHANNEL 200V
SQJ488EP-T2_GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE