رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR880BDP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR880BDP-T1-RE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 18.6A (Ta), 70.6A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
1096 قطع جديدة أصلية في المخزون
12958851
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR880BDP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2930 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIR880BDP-T1-RE3CT
742-SIR880BDP-T1-RE3DKR
742-SIR880BDP-T1-RE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDMS86300
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1497
DiGi رقم الجزء
FDMS86300-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RS6N120BHTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1763
DiGi رقم الجزء
RS6N120BHTB1-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPTG014N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
MCU40P04-TP
MOSFET P-CH
MCU50N06-TP
MOSFET N-CH
