رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SISS23DN-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SISS23DN-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
المخزون:
13506 قطع جديدة أصلية في المخزون
13063820
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SISS23DN-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8840 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8S
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8S
رقم المنتج الأساسي
SISS23
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SISS23DN-T1-GE3CT
SISS23DN-T1-GE3DKR
SISS23DN-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138W L6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
AUIRLS3034-7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
BSP295E6327
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
