رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF9328PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF9328PBF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12806956
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF9328PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.9mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1680 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
SP001555830
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RRH090P03GZETB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1111
DiGi رقم الجزء
RRH090P03GZETB-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RRH100P03GZETB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
6955
DiGi رقم الجزء
RRH100P03GZETB-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLR7833TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRLU3802PBF
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
SIPC30N60C3X1SA2
TRANSISTOR N-CH
